国内学会
Ca2RuO4薄膜が示す温度誘起金属–絶縁体転移に依存しないモット型抵抗スイッチング現象
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
半絶縁性基板上Ge1−xSnx薄膜の低温熱電物性
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
高濃度n型ドーピングSi1−xSnx薄膜で観測された巨大熱電能
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
エネルギーデバイスに革新を起こす新材料開発 Invited
特別講義「進化するナノサイエンス」, 大阪大学 豊中キャンパス, 大阪府豊中市, Japan, Feb-2023.
急峻な温度誘起金属絶縁体転移を持たないCa2RuO4薄膜で観測された高速・不連続的な抵抗スイッチング現象
第58回応用物理学会北海道支部/第19回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 室蘭工業大学, 北海道札幌市, Japan, Jan-2023.
超高効率エネルギー利用を可能にする新材料・デバイス開発 Invited
科学工学技術委員会講演会, 東京都中小企業振興公社, 東京都, Japan, Dec-2022.
Suppressing Hydrogen Diffusion and Enhancing Reliability of Short-Channel InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
スパッタリング法によるアモルファス酸化ガリウム薄膜の作製とダイオー ド特性の評価
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
アモルファス 12CaO･7Al2O3を用いたReRAM
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
ZnO中の水素複合欠陥
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
超高真空スパッタリング装置を用いた高移動度多結晶 Zn3N2薄膜
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の合成：2次元-3次元構造転移の誘起と電気・熱伝導率変調
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
非平衡(Sn1-xPbx)S固溶体の格子間Snによる高濃度電子ドーピング
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
新材料開発によるエネルギーデバイスの革新 Invited
応用物理学会東海支部 東海 NFRW・東海地区若手チャプタージョイントワークショップ, じゅうろくプラザ, 岐阜県岐阜市, Japan, Nov-2022.
SnSe系非平衡固溶体：熱電変換特性向上および熱伝導制御の新たなアプローチ Invited
日立金属株式会社 グローバル技術革新センター, オンライン, Japan, Sep-2022.
高移動度岩塩型(Sn,Ca)Se準安定相のエピタキシャル薄膜成長とキャリア輸送特性
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の2次元-3次元構造転移に伴う熱伝導率変調
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
アモルファスTaOxが示す抵抗変化現象の確立過程性に対する相構造の影響の観測
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
非平衡(Sn,Pb)S固溶体の合成: 格子間Snによる電子ドーピングと強フォノン散乱
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
逆ペロブスカイト型酸化物Ba3SiOにおける超低熱伝導率と高熱電変換特性およびその起源
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
層状SnSe非平衡相のエピタキシャル膜による安定化と構造・電気特性
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
超ワイドギャップ酸化物SrO薄膜の半導体化
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
Degenerated hole doping and enhanced thermoelectric figure-of-merit ZT in layered SnSe by isovalent Te ion substitution
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
トレードオフの相関を破る酸化物熱電材料の高出力特性
応用物理学会新領域 第10回強的秩序とその操作に関わる研究グループ研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Jan-2020.
Power-factor enhancement by breaking trade-off relation of electrical conductivity and thermopower in strain-controlled transition metal oxide
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜(Ae= Ca, Sr, Ba)の構成相と電気特性
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
層状SnSeへのSbドーピングと二重極性反転現象
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
トレードオフの相関を超えた巨大熱電変換性能 Invited
令和元年度第2回プロセス研究会, 東京工業大学 田町キャンパス, 東京都港区, Japan, Dec-2019.
引張歪から圧縮歪まで制御したLaNiO3薄膜の構造とフォノンドラッグ熱電特性
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
アンチモン添加による層状セレン化スズの二重極性反転
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
(Sn1-xPbx)Se固溶体非平衡相の熱電輸送特性
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
LaNiO3エピタキシャル極薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電能
応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会共催 第2回結晶工学xISYSE 合同研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Nov-2019.
二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.
酸化物熱電材料のフォノンドラッグ効果 Invited
日本材料科学会 第6回 マテリアルズ・インフォマティクス基礎研究会, 慶應義塾大学 矢上キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Aug-2019.
共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価
日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.
FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
ガラス上に成長させた層状セレン化スズ薄膜の電気特性と薄膜トランジスタ
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
エピタキシャル歪により増強されるLaNiO3極薄膜のフォノンドラッグ熱電特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
遷移金属酸化物歪界面で発現する特異な熱電能 Invited
日本磁気学会 第217回研究会, 中央大学 駿河台記念館, 東京都千代田区, Japan, Mar-2018.
遷移金属酸化物薄膜歪界面のフォノンドラッグ熱電能 Invited
異分野融合ワークショップ 電子格子相互作用：基礎物理からデバイス応用まで, 奈良先端科学技術大学院大学, 奈良県生駒市, Japan, Jul-2017.
遷移金属酸化物歪界面のフォノンドラッグ熱電能 Invited
応用物理学会 フォノンエンジニアリング研究会, KKRホテル熱海, 静岡県熱海市, Japan, Jul-2017.
酸化物歪界面のフォノンドラッグ熱電能～安心安全な酸化物の熱電変換性能向上に向けて～ Invited
CREST・さきがけ「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」複合研究領域「スピントロニクス材料、強相関物質を利用した発電技術に関するワークショップ」, JST 五番町ビル, 東京都千代田区, Japan, Jul-2017.
モット絶縁体超薄膜の熱電能
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, Japan, Sep-2016.
Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO3−SrNbO3 Solid-solution System
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, Japan, Sep-2016.
熱電能計測と電子顕微鏡観察による、LaTiO3/LaAlO3ヘテロ界面の可視化
新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第４回若手の会, 筑波山 江戸屋, 茨城県つくば市, Japan, Jul-2016.
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アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答
薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.
固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.
多孔質薄膜の水和イオンを電気化学的に制御した電気・磁気情報記憶デバイスの開発
花王芸術・科学財団 研究助成発表会, 花王株式会社 すみだ事業場, 東京都墨田区, Japan, Jun-2019.
時間分解共鳴軟X線回折でみるSrFeO3薄膜の反強磁性磁気秩序の光誘起過渡状態
日本物理学会 第74回年次大会, 九州大学 伊都キャンパス, 福岡県福岡市, Japan, Mar-2019.
窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トランジスタの作製
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化物半導体a-GaOxをホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
Density functional study on intrinsic and impurity defect formation in layered SrTiN2
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの希土類添加効果
日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.
Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
第一原理計算による層状AETiN2 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
遷移金属酸化物の原子層成長と機能物性 Invited
五セラミックス研究機関合同講演会 「新機能発現を目指したニューセラミックス関連技術」, 産業技術総合研究所 中部センター, 愛知県名古屋市, Japan, Oct-2018.
全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布 Invited
第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都新宿区, Japan, Mar-2018.
遷移金属元素を発光中心としたアモルファス酸化物半導体蛍光体薄膜の探索
日本セラミックス協会 第56回セラミックス基礎科学討論会, つくば国際会議場, 茨城県つくば市, Japan, Jan-2018.
La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ホールバー構造における電流誘起有効磁場の膜厚・チャネル方向依存性
第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 北海道札幌市, Japan, Jan-2018.
含水多孔質ガラスを用いたオンデマンド赤外線透過率-導電率制御デバイス Invited
日本真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会, 機械振興会館, 東京都港区, Japan, Oct-2017.
アモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の分離
第78回応用物理学会学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡県福岡市, Japan, Sep-2017.
酸化物ハーフメタルLa0.67Sr0.33MnO3における電流誘起有効磁場の膜厚依存性
新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京都中央区, Japan, Jul-2017.
遷移金属酸化物の電気化学反応を利用した機能変調デバイス Invited
6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学, 愛知県名古屋市, Japan, Mar-2017.
【平成28年度進歩賞受賞講演】遷移金属酸化物の酸化・還元を利用した薄膜機能デバイスの開発 Invited
日本セラミックス協会 2017年年会, 日本大学 駿河台キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2017.
Thickness Dependence of Current-Induced Effective Magnetic Field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 heterostructure
第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, Japan, Mar-2017.
Ca2RuO4薄膜が示す温度誘起金属–絶縁体転移に依存しないモット型抵抗スイッチング現象
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
半絶縁性基板上Ge1−xSnx薄膜の低温熱電物性
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
高濃度n型ドーピングSi1−xSnx薄膜で観測された巨大熱電能
第70回応用物理学会春季学術講演会, 上智大学 四谷キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2023.
エネルギーデバイスに革新を起こす新材料開発 Invited
特別講義「進化するナノサイエンス」, 大阪大学 豊中キャンパス, 大阪府豊中市, Japan, Feb-2023.
急峻な温度誘起金属絶縁体転移を持たないCa2RuO4薄膜で観測された高速・不連続的な抵抗スイッチング現象
第58回応用物理学会北海道支部/第19回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 室蘭工業大学, 北海道札幌市, Japan, Jan-2023.
超高効率エネルギー利用を可能にする新材料・デバイス開発 Invited
科学工学技術委員会講演会, 東京都中小企業振興公社, 東京都, Japan, Dec-2022.
Suppressing Hydrogen Diffusion and Enhancing Reliability of Short-Channel InGaZnO Thin Film Transistors by Bottom-Gate Oxide Engineering
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
スパッタリング法によるアモルファス酸化ガリウム薄膜の作製とダイオー ド特性の評価
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
アモルファス 12CaO･7Al2O3を用いたReRAM
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
ZnO中の水素複合欠陥
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
超高真空スパッタリング装置を用いた高移動度多結晶 Zn3N2薄膜
薄膜材料デバイス研究会 第19回研究集会「新半導体材料・デバイス：SDGs実現へ向けて」, 京都アバンティ, 京都府京都市, Japan, Nov-2022.
準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の合成：2次元-3次元構造転移の誘起と電気・熱伝導率変調
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
非平衡(Sn1-xPbx)S固溶体の格子間Snによる高濃度電子ドーピング
日本セラミックス協会 第42回電子材料研究討論会, 東京工業大学 すずかけ台キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Nov-2022.
新材料開発によるエネルギーデバイスの革新 Invited
応用物理学会東海支部 東海 NFRW・東海地区若手チャプタージョイントワークショップ, じゅうろくプラザ, 岐阜県岐阜市, Japan, Nov-2022.
SnSe系非平衡固溶体：熱電変換特性向上および熱伝導制御の新たなアプローチ Invited
日立金属株式会社 グローバル技術革新センター, オンライン, Japan, Sep-2022.
高移動度岩塩型(Sn,Ca)Se準安定相のエピタキシャル薄膜成長とキャリア輸送特性
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
準安定(Pb1-xSnx)Se固溶体の2次元-3次元構造転移に伴う熱伝導率変調
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
アモルファスTaOxが示す抵抗変化現象の確立過程性に対する相構造の影響の観測
第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学 川内北キャンパス, 宮城県仙台市, Japan, Sep-2022.
非平衡(Sn,Pb)S固溶体の合成: 格子間Snによる電子ドーピングと強フォノン散乱
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
逆ペロブスカイト型酸化物Ba3SiOにおける超低熱伝導率と高熱電変換特性およびその起源
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
(111)配向非平衡岩塩型(Sn,Ca)Seエピタキシャル薄膜のドメイン境界の電気特性
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
層状SnSe非平衡相のエピタキシャル膜による安定化と構造・電気特性
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
超ワイドギャップ酸化物SrO薄膜の半導体化
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
Degenerated hole doping and enhanced thermoelectric figure-of-merit ZT in layered SnSe by isovalent Te ion substitution
日本セラミックス協会 第35回秋季シンポジウム, 徳島大学 常三島キャンパス, 徳島県徳島市, Japan, Sep-2022.
トレードオフの相関を破る酸化物熱電材料の高出力特性
応用物理学会新領域 第10回強的秩序とその操作に関わる研究グループ研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Jan-2020.
Power-factor enhancement by breaking trade-off relation of electrical conductivity and thermopower in strain-controlled transition metal oxide
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜(Ae= Ca, Sr, Ba)の構成相と電気特性
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
層状SnSeへのSbドーピングと二重極性反転現象
日本セラミックス協会 第58回セラミックス基礎科学討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Jan-2020.
トレードオフの相関を超えた巨大熱電変換性能 Invited
令和元年度第2回プロセス研究会, 東京工業大学 田町キャンパス, 東京都港区, Japan, Dec-2019.
引張歪から圧縮歪まで制御したLaNiO3薄膜の構造とフォノンドラッグ熱電特性
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
アンチモン添加による層状セレン化スズの二重極性反転
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
(Sn1-xPbx)Se固溶体非平衡相の熱電輸送特性
日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.
LaNiO3エピタキシャル極薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電能
応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会共催 第2回結晶工学xISYSE 合同研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Nov-2019.
二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.
酸化物熱電材料のフォノンドラッグ効果 Invited
日本材料科学会 第6回 マテリアルズ・インフォマティクス基礎研究会, 慶應義塾大学 矢上キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Aug-2019.
共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価
日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.
FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
ガラス上に成長させた層状セレン化スズ薄膜の電気特性と薄膜トランジスタ
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
エピタキシャル歪により増強されるLaNiO3極薄膜のフォノンドラッグ熱電特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
遷移金属酸化物歪界面で発現する特異な熱電能 Invited
日本磁気学会 第217回研究会, 中央大学 駿河台記念館, 東京都千代田区, Japan, Mar-2018.
遷移金属酸化物薄膜歪界面のフォノンドラッグ熱電能 Invited
異分野融合ワークショップ 電子格子相互作用：基礎物理からデバイス応用まで, 奈良先端科学技術大学院大学, 奈良県生駒市, Japan, Jul-2017.
遷移金属酸化物歪界面のフォノンドラッグ熱電能 Invited
応用物理学会 フォノンエンジニアリング研究会, KKRホテル熱海, 静岡県熱海市, Japan, Jul-2017.
酸化物歪界面のフォノンドラッグ熱電能～安心安全な酸化物の熱電変換性能向上に向けて～ Invited
CREST・さきがけ「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出」複合研究領域「スピントロニクス材料、強相関物質を利用した発電技術に関するワークショップ」, JST 五番町ビル, 東京都千代田区, Japan, Jul-2017.
モット絶縁体超薄膜の熱電能
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, Japan, Sep-2016.
Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO3−SrNbO3 Solid-solution System
第77回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ, 新潟県新潟市, Japan, Sep-2016.
熱電能計測と電子顕微鏡観察による、LaTiO3/LaAlO3ヘテロ界面の可視化
新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第４回若手の会, 筑波山 江戸屋, 茨城県つくば市, Japan, Jul-2016.
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アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答
薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.
固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測
第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.
多孔質薄膜の水和イオンを電気化学的に制御した電気・磁気情報記憶デバイスの開発
花王芸術・科学財団 研究助成発表会, 花王株式会社 すみだ事業場, 東京都墨田区, Japan, Jun-2019.
時間分解共鳴軟X線回折でみるSrFeO3薄膜の反強磁性磁気秩序の光誘起過渡状態
日本物理学会 第74回年次大会, 九州大学 伊都キャンパス, 福岡県福岡市, Japan, Mar-2019.
窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トランジスタの作製
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化物半導体a-GaOxをホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
Density functional study on intrinsic and impurity defect formation in layered SrTiN2
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性
第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.
アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの希土類添加効果
日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.
Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
第一原理計算による層状AETiN2 (AE = Ca, Sr, Ba)の電子構造と欠陥生成・キャリアドーピング機構の理論解析
薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.
遷移金属酸化物の原子層成長と機能物性 Invited
五セラミックス研究機関合同講演会 「新機能発現を目指したニューセラミックス関連技術」, 産業技術総合研究所 中部センター, 愛知県名古屋市, Japan, Oct-2018.
全反射硬X線光電子分光法によるアモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の深さ方向分布 Invited
第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学 早稲田キャンパス, 東京都新宿区, Japan, Mar-2018.
遷移金属元素を発光中心としたアモルファス酸化物半導体蛍光体薄膜の探索
日本セラミックス協会 第56回セラミックス基礎科学討論会, つくば国際会議場, 茨城県つくば市, Japan, Jan-2018.
La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3ホールバー構造における電流誘起有効磁場の膜厚・チャネル方向依存性
第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会, 北海道大学 学術交流会館, 北海道札幌市, Japan, Jan-2018.
含水多孔質ガラスを用いたオンデマンド赤外線透過率-導電率制御デバイス Invited
日本真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会, 機械振興会館, 東京都港区, Japan, Oct-2017.
アモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の分離
第78回応用物理学会学術講演会, 福岡国際会議場, 福岡県福岡市, Japan, Sep-2017.
酸化物ハーフメタルLa0.67Sr0.33MnO3における電流誘起有効磁場の膜厚依存性
新学術領域研究「ナノ構造情報のフロンティア開拓 ― 材料科学の新展開」第5回若手の会, 晴海グランドホテル, 東京都中央区, Japan, Jul-2017.
遷移金属酸化物の電気化学反応を利用した機能変調デバイス Invited
6大学連携プロジェクト公開討論会, 名古屋大学, 愛知県名古屋市, Japan, Mar-2017.
【平成28年度進歩賞受賞講演】遷移金属酸化物の酸化・還元を利用した薄膜機能デバイスの開発 Invited
日本セラミックス協会 2017年年会, 日本大学 駿河台キャンパス, 東京都千代田区, Japan, Mar-2017.
Thickness Dependence of Current-Induced Effective Magnetic Field in La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3 heterostructure
第64回応用物理学会春季学術講演会, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, Japan, Mar-2017.