国内学会

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129.

白石明浩, ホシンイ, 渡邉脩人, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

層状半導体BaHfN2の合成と光電子物性

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.

BibTeX

128.

西村優作, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

(Sn1-xPbx)Se固溶体非平衡相の熱電輸送特性

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.

BibTeX

127.

木村公俊, 樋口雄飛, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

LaNiO3エピタキシャル極薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電能

応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会共催 第2回結晶工学xISYSE 合同研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Nov-2019.

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126.

井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体を用いた新規デバイスの開拓 Invited

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

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125.

Kaiwen Li, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Dong Lin, Jinhua Ren, Qun Zhang

Silicon doping and N2 ambient annealing effects on Zn3N2 thin film transistors

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

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124.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

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123.

松本惇平, 半沢幸太, 笹瀬雅人, Silvia Haindl, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄

1111型鉄系超伝導体エピタキシャル薄膜への高濃度水素添加と48 Kの高温超伝導

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

BibTeX

122.

椿啓司, 福地厚, 片瀬貴義, 神谷利夫, 有田正志, 高橋庸夫

固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

BibTeX

121.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

BibTeX

120.

片瀬貴義

酸化物熱電材料のフォノンドラッグ効果 Invited

日本材料科学会 第6回 マテリアルズ・インフォマティクス基礎研究会, 慶應義塾大学 矢上キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Aug-2019.

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119.

片瀬貴義

多孔質薄膜の水和イオンを電気化学的に制御した電気・磁気情報記憶デバイスの開発

花王芸術・科学財団 研究助成発表会, 花王株式会社 すみだ事業場, 東京都墨田区, Japan, Jun-2019.

BibTeX

118.

山本航平, 田久保耕, Niko Pontius, Christian Schüßler-Langeheine, 片瀬貴義, 神谷利夫, 和達大樹

時間分解共鳴軟X線回折でみるSrFeO3薄膜の反強磁性磁気秩序の光誘起過渡状態

日本物理学会 第74回年次大会, 九州大学 伊都キャンパス, 福岡県福岡市, Japan, Mar-2019.

BibTeX

117.

松崎功佑, 片瀬貴義, 細野秀雄

窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トランジスタの作製

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

BibTeX

116.

渡邉脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体a-GaOxをホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

BibTeX

115.

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Density functional study on intrinsic and impurity defect formation in layered SrTiN2

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

BibTeX

114.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

BibTeX

113.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

BibTeX

112.

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの希土類添加効果

日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.

BibTeX

111.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪 浩

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価

日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.

BibTeX

110.

井手啓介, 二角勇毅, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

BibTeX

109.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

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108.

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邊脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

BibTeX

107.

森大介, 渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

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106.

渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

BibTeX

105.

山本千紘, 半沢幸太, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

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6.

篠崎智正, 野村研二, 片瀬貴義, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

層状酸化物結晶InGaZnO4の単結晶薄膜作製とバッファー層への応用

薄膜材料デバイス研究会 第6回研究集会, 龍谷大学 大宮学舎 清和館, 京都府京都市, Japan, Nov-2009.

BibTeX

5.

片瀬貴義, 野村研二, 篠崎智正, 柳博, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

GaN薄膜成長におけるScAlMgO4格子整合バッファ層の効果

薄膜材料デバイス研究会 第5回研究集会, なら100年会館, 奈良県奈良市, Japan, Oct-2008.

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4.

須崎友文, 熊田翔, 片瀬貴義, 松崎功佑, 宮川仁, 細野秀雄

静電不安定性を持つMgO(111)薄膜の作製と評価

2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県春日井市, Japan, Sep-2008.

BibTeX

3.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

R-SPE法によるScAlMgO4単結晶薄膜の作製とZnO格子整合バッファ層への応用

2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学 船橋キャンパス, 千葉県船橋市, Japan, Mar-2008.

BibTeX

2.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

反応性固相エピタキシャル成長法におけるホモロガスInGaO3(ZnO)m薄膜成長のBiフラックス効果

日本セラミックス協会 2007年年会, 武蔵工業大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区, Japan, Mar-2007.

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1.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

ホモロガス酸化物InGaO3(ZnO)m単結晶薄膜のBiフラックスによる高品質化

薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会, あすなら会議場, 奈良県奈良市, Japan, Nov-2006.

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129.

白石明浩, ホシンイ, 渡邉脩人, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

層状半導体BaHfN2の合成と光電子物性

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.

128.

西村優作, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

(Sn1-xPbx)Se固溶体非平衡相の熱電輸送特性

日本セラミックス協会 第39回電子材料研究討論会, ウィンクあいち, 愛知県名古屋市, Japan, Nov-2019.

127.

木村公俊, 樋口雄飛, 片瀬貴義, 井手啓介, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

LaNiO3エピタキシャル極薄膜に発現する巨大フォノンドラッグ熱電能

応用物理学会結晶工学分科会・電子材料若手交流会共催 第2回結晶工学xISYSE 合同研究会, 東京大学 本郷キャンパス, 東京都文京区, Japan, Nov-2019.

126.

井手啓介, 金正煥, 片瀬貴義, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体を用いた新規デバイスの開拓 Invited

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

125.

Kaiwen Li, Keisuke Ide, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Dong Lin, Jinhua Ren, Qun Zhang

Silicon doping and N2 ambient annealing effects on Zn3N2 thin film transistors

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

124.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化ガリウムを用いたショットキーバリアダイオード特性と光応答

薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2019.

123.

松本惇平, 半沢幸太, 笹瀬雅人, Silvia Haindl, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄

1111型鉄系超伝導体エピタキシャル薄膜への高濃度水素添加と48 Kの高温超伝導

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

122.

椿啓司, 福地厚, 片瀬貴義, 神谷利夫, 有田正志, 高橋庸夫

固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

121.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

二元同時スパッタ法で作製したAeSi2膜の作製

第80回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学 札幌キャンパス, 北海道札幌市, Japan, Sep-2019.

120.

片瀬貴義

酸化物熱電材料のフォノンドラッグ効果 Invited

日本材料科学会 第6回 マテリアルズ・インフォマティクス基礎研究会, 慶應義塾大学 矢上キャンパス, 神奈川県横浜市, Japan, Aug-2019.

119.

片瀬貴義

多孔質薄膜の水和イオンを電気化学的に制御した電気・磁気情報記憶デバイスの開発

花王芸術・科学財団 研究助成発表会, 花王株式会社 すみだ事業場, 東京都墨田区, Japan, Jun-2019.

118.

山本航平, 田久保耕, Niko Pontius, Christian Schüßler-Langeheine, 片瀬貴義, 神谷利夫, 和達大樹

時間分解共鳴軟X線回折でみるSrFeO3薄膜の反強磁性磁気秩序の光誘起過渡状態

日本物理学会 第74回年次大会, 九州大学 伊都キャンパス, 福岡県福岡市, Japan, Mar-2019.

117.

松崎功佑, 片瀬貴義, 細野秀雄

窒化銅薄膜をチャネルに用いたアンバイポーラ型トランジスタの作製

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

116.

渡邉脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体a-GaOxをホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の低温作製

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

115.

Xinyi He, Zewen Xiao, Takayoshi Katase, Keisuke Ide, Hideo Hosono, Toshio Kamiya

Density functional study on intrinsic and impurity defect formation in layered SrTiN2

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

114.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化ガリウムへの水素ドープ効果とキャリア輸送特性

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

113.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪浩

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の熱電特性

第66回応用物理学会春季学術講演会, 東京工業大学 大岡山キャンパス, 東京都目黒区, Japan, Mar-2019.

112.

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの希土類添加効果

日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.

111.

青山航大, 清水荘雄, 倉持豪人, 召田雅実, 秋池良, 井手啓介, 片瀬貴義, 神谷利夫, 木村好里, 舟窪 浩

共スパッタ法で作製したBaxSr1-xSi2膜の作製と熱電特性評価

日本セラミックス協会 第57回セラミックス基礎科学討論会, 仙台国際センター, 宮城県仙台市, Japan, Jan-2019.

110.

井手啓介, 二角勇毅, 渡邉脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

Cr添加アモルファス酸化ガリウム薄膜のフォトルミネッセンス特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

109.

笠井悠莉華, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

超ワイドバンドギャップアモルファス酸化物半導体a-Ga-Oを用いたショットキーダイオードの作製

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

108.

西間木祐紀, 井手啓介, 渡邊脩人, 金正煥, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

希土類添加アモルファス酸化物半導体の電気物性とトランジスタ特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

107.

森大介, 渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

層状半導体Sr2CuMO3S(M= Ga, In)の合成と光電子物性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

106.

渡邊脩人, 井手啓介, 片瀬貴義, 笹瀬雅人, 戸田喜丈, 金正煥, 上田茂典, 堀場弘司, 組頭広志, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

アモルファス酸化物半導体をホストとする蛍光体を用いた直流駆動型発光素子の室温形成

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

105.

山本千紘, 半沢幸太, 井手啓介, 片瀬貴義, 平松秀典, 細野秀雄, 神谷利夫

FeSb2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と熱電特性

薄膜材料デバイス研究会 第15回研究集会, 龍谷大学 響都ホール 校友会館, 京都府京都市, Japan, Nov-2018.

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6.

篠崎智正, 野村研二, 片瀬貴義, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

層状酸化物結晶InGaZnO4の単結晶薄膜作製とバッファー層への応用

薄膜材料デバイス研究会 第6回研究集会, 龍谷大学 大宮学舎 清和館, 京都府京都市, Japan, Nov-2009.

5.

片瀬貴義, 野村研二, 篠崎智正, 柳博, 太田裕道, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

GaN薄膜成長におけるScAlMgO4格子整合バッファ層の効果

薄膜材料デバイス研究会 第5回研究集会, なら100年会館, 奈良県奈良市, Japan, Oct-2008.

4.

須崎友文, 熊田翔, 片瀬貴義, 松崎功佑, 宮川仁, 細野秀雄

静電不安定性を持つMgO(111)薄膜の作製と評価

2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 愛知県春日井市, Japan, Sep-2008.

3.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

R-SPE法によるScAlMgO4単結晶薄膜の作製とZnO格子整合バッファ層への応用

2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学 船橋キャンパス, 千葉県船橋市, Japan, Mar-2008.

2.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

反応性固相エピタキシャル成長法におけるホモロガスInGaO3(ZnO)m薄膜成長のBiフラックス効果

日本セラミックス協会 2007年年会, 武蔵工業大学 世田谷キャンパス, 東京都世田谷区, Japan, Mar-2007.

1.

片瀬貴義, 野村研二, 太田裕道, 柳博, 神谷利夫, 平野正浩, 細野秀雄

ホモロガス酸化物InGaO3(ZnO)m単結晶薄膜のBiフラックスによる高品質化

薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会, あすなら会議場, 奈良県奈良市, Japan, Nov-2006.

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